誰(shuí)能想到,讓我們記住那些美好童年回憶和復(fù)雜的數(shù)學(xué)公式的竟然是一種類似于"發(fā)炎"的過程和 DNA 損傷嗎?頂尖期刊 Nature 上最近發(fā)表的一項(xiàng)研究表明,長(zhǎng)期記憶儲(chǔ)存依賴于"大腦炎癥"和 DNA 損傷。是的,你沒有看錯(cuò)!這種應(yīng)對(duì)逆境的生物反應(yīng)正是鍛造我們記憶力的關(guān)鍵工具。這兩個(gè)看似不合群的角色——神經(jīng)"發(fā)炎"和 DNA 損傷是如何共同塑造我們的長(zhǎng)期記憶存儲(chǔ)的呢?快來隨小 M 一起來看看吧~
聽到 “發(fā)炎” 和 “DNA 損傷”,可能首先想到的是疾病或損傷,但在我們的大腦中,這兩個(gè)過程卻是形成長(zhǎng)期記憶的關(guān)鍵步驟,與我們大腦中一種名為海馬神經(jīng)元的特殊細(xì)胞有關(guān)。
這些神經(jīng)元如同建筑師一般,將各種信息組裝成微電路,存儲(chǔ)我們生活中的各種瞬間。然而,這個(gè)過程并非毫無 “代價(jià)”,大腦中的海馬神經(jīng)元會(huì)經(jīng)歷一個(gè)能量密集的過程,此時(shí)神經(jīng)元的 DNA 雙鏈會(huì)暫時(shí)發(fā)生斷裂 (DNA double strand breaks, DSBs),并涉及一種叫做 TLR9 信號(hào)分子的激活。這個(gè)過程就像是神經(jīng)元的一次小型“發(fā)炎”,為記憶儲(chǔ)存打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)[1]。
圖 1. 神經(jīng)可塑性與 DNA 損傷和修復(fù)之間相互作用的簡(jiǎn)化模型[2]。
突觸處 NMDA/AMPA 受體的激活會(huì)誘導(dǎo) SSB 或 DSB,并分別通過 BER 或 NHEJ 促進(jìn)其修復(fù)。反之,DNA 損傷和修復(fù)會(huì)改變這些受體的表達(dá)和活性,從而調(diào)節(jié)神經(jīng)元基因表達(dá),導(dǎo)致可塑性發(fā)生變化。SSB:單鏈 DNA 斷裂; DSB: 雙鏈 DNA 斷裂。BER: 堿基切除修復(fù); NHEJ: 非同源末端連接。
近期,發(fā)表于 Nature 的一項(xiàng)研究發(fā)現(xiàn),在長(zhǎng)時(shí)間學(xué)習(xí)后,興奮性海馬 CA1 神經(jīng)元出現(xiàn)了雙鏈 DNA (dsDNA) 斷裂、核膜破裂以及釋放組蛋白和 dsDNA 片段等一系列現(xiàn)象。這些早期事件之后,一些神經(jīng)元開始表現(xiàn)出炎癥表型,涉及到 TLR9 的信號(hào)通道的激活,同時(shí)也出現(xiàn)了 DNA 損傷修復(fù)復(fù)合物的積累。如果 TLR9 功能受損,基本的記憶機(jī)制可能會(huì)變?yōu)榛蚪M不穩(wěn)定和認(rèn)知障礙的開端,與加速衰老、精神疾病和神經(jīng)退行性疾病有關(guān)。
TLR9 參與的關(guān)鍵作用:負(fù)責(zé) DNA 的損傷修復(fù),參與纖毛的生成和周圍神經(jīng)元網(wǎng)的建立。
▐ 免疫應(yīng)答基因 (TLR9) 在記憶形成中的關(guān)鍵作用在免疫應(yīng)答基因中,TLR9 及其下游 NF-κB 信號(hào)通路最為突出,并觀察到 TLR9 基因和蛋白水平的上調(diào),以及 TLR9 與晚期內(nèi)體 (Endosomes) 和溶酶體標(biāo)志物 LAMP2 的共定位增加 (圖 2B),說明 TLR9 向內(nèi)體的運(yùn)輸增強(qiáng),有助于 DNA 識(shí)別和 NF-κB 激活。這些發(fā)現(xiàn)揭示了免疫應(yīng)答基因在記憶形成中的關(guān)鍵作用。
圖 2. CFC 后的基因表達(dá)譜圖及 TLR9 蛋白水平,TLR9/LAMP2 在不同時(shí)間的共定位[3]。
A. 與 CFC 后 21 天相比,Bulk RNA-seq 顯示 CFC 后 96 小時(shí)獲得的小鼠海馬中 441 個(gè)基因的表達(dá)增加;鹕綀D顯示與炎癥和 TLR 信號(hào)傳導(dǎo)相關(guān)的基因表達(dá)顯著增加。B. TLR9 蛋白水平以及 TLR9 與 LAMP2 在 CFC 后不同時(shí)間的共定位。LAMP2 水平無波動(dòng),TLR9 水平及其與 LAMP2 的共定位在 CFC 后 6 小時(shí)增加,96 小時(shí)后達(dá)到峰值。
這些發(fā)現(xiàn)表明,在一些神經(jīng)元中單獨(dú)的 γH2AX 和 dsDNA 或復(fù)合物的形式從細(xì)胞核中含有 TLR9 的核周位點(diǎn)釋放出來。另一方面,研究發(fā)現(xiàn) γH2AX 信號(hào)與炎癥信號(hào)傳導(dǎo)有關(guān),如其與 RELA (最豐富的 NF-κB 家族成員,在激活后易位至細(xì)胞核) 存在高度共定位。這些發(fā)現(xiàn)表明,記憶形成過程中的神經(jīng)元活動(dòng)可能會(huì)引發(fā) DNA 損傷,并啟動(dòng) DNA 修復(fù)機(jī)制。
圖 3. CFC 后的 DNA 損傷和 DDR (DNA 損傷修復(fù))[3]。
A. CFC 之后 γH2AX 點(diǎn)狀的神經(jīng)元數(shù)和 γH2AX 病灶大小。B. γH2AX 相對(duì)于星形膠質(zhì)細(xì)胞和小膠質(zhì)細(xì)胞在神經(jīng)元中的定位。C. 核外 γH2AX 與 TLR9 共定位。
圖 4. 海馬 TLR9 神經(jīng)元特異性缺失后情境記憶受損[3]。
A. 與注射 Syn-GFP 的對(duì)照組相比,在海馬內(nèi)注射 Syn-cre 的 TLR9fl/fl 小鼠的情景測(cè)試中,凍結(jié)持續(xù)減少。B. ODN2088 對(duì) TLR9 的藥理抑制作用對(duì) CFC 造成劑量依賴性損害。
此外,作者通過實(shí)驗(yàn)觀察 WT 和 TLR9fl/fl 小鼠海馬部位,發(fā)現(xiàn)神經(jīng)元中的 dsDNA 斷裂數(shù)量顯著增加。TLR9 的缺失破壞了核和中心體 DDR,使得在 CFC 時(shí),CA1 神經(jīng)元無法招募 DDR 復(fù)合物或形成纖毛和 PNNs,證實(shí)了 TLR9 在 DDR、纖毛形成和神經(jīng)周圍網(wǎng) (Perineuronal nets, PNN) 積累中的作用。
今天小 M 和大家一起了解到,通過學(xué)習(xí)誘導(dǎo)的 TLR9 信號(hào)傳導(dǎo),神經(jīng)元將 DNA 損傷與 DDR 聯(lián)系起來,對(duì)記憶的穩(wěn)定性和持久性起關(guān)鍵作用。TLR9 激活可能由 γH2AX 和 dsDNA 片段觸發(fā)。TLR9 參與了 DNA 傳感,而不是 CFC 中更為傳統(tǒng)的 cGAS-STING 路徑,提示神經(jīng)元采用了基于免疫的記憶機(jī)制。因此,保持 TLR9 炎癥信號(hào)傳導(dǎo)的完整性成為神經(jīng)認(rèn)知缺陷的有前途的預(yù)防策略,或許可以為衰老、精神疾病和神經(jīng)退行性等疾病提供一些新見解~
PLX5622 口服 CSF1R 抑制劑,能透過血腦屏障的、小膠質(zhì)細(xì)胞清除劑。 |
PLX5622 in AIN-76A Diet PLX5622 飼料形式,1200 ppm |
ODN 2088 TLR3,TLR7 和 TLR9 抑制劑 |
RU.521 cGAS 抑制劑 |
H-151 選擇性和共價(jià)的 sting 拮抗劑,可用于自身免疫性疾病的研究。 |
γH2AX antibody 用于 WB, ICC/IF |
[1] Madabhushi R, et al. Activity-Induced DNA Breaks Govern the Expression of Neuronal Early-Response Genes. Cell. 2015 Jun 18;161(7):1592-605.
[2] Konopka A, et al. The Role of DNA Damage in Neural Plasticity in Physiology and Neurodegeneration. Front Cell Neurosci. 2022 Jun 23;16:836885.
[3] Jovasevic V, et al. Formation of memory assemblies through the DNA-sensing TLR9 pathway. Nature. 2024 Apr;628(8006):145-153.