推動(dòng)高功率UVC-LED晶圓進(jìn)入低成本4英寸時(shí)代的應(yīng)變調(diào)控策略
北京大學(xué)王新強(qiáng)教授
導(dǎo)讀
北京大學(xué)王新強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)研究報(bào)告了一種4英寸無(wú)裂紋高功率UVC-LED晶圓的制備，這一成就依賴于一種提出的應(yīng)變調(diào)控策略，即在高溫退火（HTA）-AlN模板上的AlN同質(zhì)外延過(guò)程中引入三維到二維（3D-2D）過(guò)渡層，成功地將原始的壓應(yīng)變轉(zhuǎn)變?yōu)槔瓚?yīng)變，從而解決了實(shí)現(xiàn)具有平坦表面的高質(zhì)量AlGaN層的挑戰(zhàn)。今天小編為大家分享該研究成果，希望對(duì)您的科學(xué)研究或工業(yè)生產(chǎn)帶來(lái)一些靈感和啟發(fā)。
應(yīng)用方向：AIN，4英寸，高溫退火，UVC-LED，應(yīng)變調(diào)制
研究背景與目的
北京大學(xué)王新強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)通過(guò)應(yīng)變調(diào)控策略，即在4英寸高晶體質(zhì)量HTA-AlN模板上引入3D-2D過(guò)渡層，成功地將原始的壓應(yīng)變調(diào)整為拉應(yīng)變，而不犧牲外延過(guò)程中的晶體質(zhì)量。這項(xiàng)工作將通過(guò)利用低成本的4英寸HTA-AlN模板促進(jìn)UVC-LED的普及，特別是考慮到其與當(dāng)前基于GaN的藍(lán)光LED工藝的兼容性。該工作以“Drive high power UVC-LED wafer into low-cost 4-inch era: effect of strain modulation”為題發(fā)表在著名期刊ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS上。
研究者通過(guò)物理氣相沉積（PVD）沉積的500納米厚AlN薄膜的外部高溫再結(jié)晶過(guò)程進(jìn)行4英寸高質(zhì)量AlN模板的制備。為了比較，通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）在NPSS上生長(zhǎng)了具有孔型圖案的4英寸AlN模板（AlN/NPSS），并通過(guò)執(zhí)行ELOG技術(shù)。在UVC-LED外延之前，在兩種AlN模板上通過(guò)MOCVD同質(zhì)外延生長(zhǎng)了200納米厚的AlN再生長(zhǎng)層，以確保后續(xù)UVC-LED外延的新鮮表面。
圖1.(Color onine)a)AIN/NPSS,B)AIN/平坦藍(lán)寶石襯底，c)HTA-AIN模板制備方案，呈現(xiàn)不同類型的內(nèi)應(yīng)力;d )AIN/NPSS和e)HTA-AIN(105)面RSM的X射線行射。無(wú)應(yīng)變(105)面AIN的衍射峰為星形。
圖2.HTA AIN上的UVC-LED晶片的光學(xué)顯微鏡圖像a)沒(méi)有和c)具有3D-2D過(guò)渡層。在AIN再生長(zhǎng)后的HTA-AIN的原子力顯微鏡圖像b)沒(méi)有和d)具有3D-2D過(guò)渡層。在HTA-AIN模板上的UVC-LED結(jié)構(gòu)的X射線(105)面RSM e)沒(méi)有和 f)具有3D-2D過(guò)渡層。行射圖案加寬通常被認(rèn)為是AIGaN層質(zhì)量的獨(dú)特參考。從n-AIGaN和AIN RSM的峰位置，弛豫比計(jì)算為30%和9%，在沒(méi)有和h)具有3D-2D過(guò)渡層的HTA-AIN上生長(zhǎng)的UVC-LED的原位405nm反射率曲線。UVC-LED外延中相應(yīng)的不同階段用虛線標(biāo)記：區(qū)域I(AIN再生長(zhǎng))、區(qū)域II(AIGaN緩沖層)、區(qū)域III(n-AIGaN層)和區(qū)域IV(MQW和p型區(qū)域)。
圖3.(彩色在線)a)示意圖和b)HTA-AIN上3D-2D過(guò)渡層生長(zhǎng)過(guò)程的相應(yīng)原位405 nm反射率曲線。紅色虛線是眼睛捕捉反射率曲線的平均強(qiáng)度趨勢(shì)的指引。c)應(yīng)變剪裁HTA-AIN模板的X射線(105)面響應(yīng)面。應(yīng)變變化的痕跡由白色虛線箭頭標(biāo)記。
圖4.(彩色在線)a)在4英寸應(yīng)變改性HTA-AIN模板上通過(guò)MOCVD制備的UVC-LED結(jié)構(gòu)的示意圖；b)UVC-LED以及MQW區(qū)域的HAADFSTEM圖像，觀察到5周期MQW區(qū)域由2 nm厚的AIGaN威爾斯阱和11 nm厚的AIGaN勢(shì)壘組成；c)薄層電阻映射(單位:Ω/sq)，d)PL波長(zhǎng)映射(單位:nm)和e)應(yīng)變定制的HTA-AIN模板上的4英寸UVC-LED晶片的EL的照片;f)HTA-AIN模板上的倒裝芯片UVC-LED的波長(zhǎng)相關(guān)EL和g)作為電流的函數(shù)的輸出功率。
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https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.202112111?af=R
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