51mm |
3µ |
0.254mm |
0.5MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄,刺激,長(zhǎng)期植入 | |
51mm |
3µ |
0.356mm |
0.5MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄,刺激,長(zhǎng)期植入 | |
51mm |
3µ |
0.356mm |
0.5MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄,刺激,長(zhǎng)期植入 | |
51mm |
3µ |
0.254mm |
1.0MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄,刺激,長(zhǎng)期植入 | |
51mm |
3µ |
0.356mm |
1.0MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄,刺激,長(zhǎng)期植入 | |
51mm |
3µ |
0.356mm |
1.0MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄,刺激,長(zhǎng)期植入 | |
51mm |
3µ |
0.254mm |
2.0MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄,刺激,長(zhǎng)期植入 | |
51mm |
3µ |
0.356mm |
2.0MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄,刺激,長(zhǎng)期植入 | |
51mm |
3µ |
0.356mm |
2.0MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄,刺激,長(zhǎng)期植入 |
76mm |
1µ |
0.127 mm |
1.0 MΩ |
1µ |
多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激 | |
76mm |
1µ |
0.216 mm |
1.0 MΩ |
1µ |
多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激 | |
76mm |
1µ |
0.216 mm |
1.0 MΩ |
1µ |
多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激 | |
76mm |
1µ |
0.216 mm |
1.0 MΩ |
1µ |
多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激 | |
76mm |
1µ |
0.127 mm |
2.0 MΩ |
1µ |
多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激 | |
76mm |
1µ |
0.216 mm |
2.0 MΩ |
1µ |
多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激 | |
76mm |
1µ |
0.127 mm |
5.0 MΩ |
1µ |
多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激 | |
76mm |
1µ |
0.216 mm |
5.0 MΩ |
1µ |
多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激 | |
76mm |
1µ |
0.216 mm |
5.0 MΩ |
1µ |
多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激 | |
76mm |
1µ |
0.085 mm |
0.5 MΩ |
1µ |
用于記錄小的非常緊密擁擠的細(xì)胞 | |
76mm |
1µ |
0.145 mm |
0.5 MΩ |
1µ |
用于記錄小的非常緊密擁擠的細(xì)胞 | |
76mm |
1µ |
0.085 mm |
1.0 MΩ |
1µ |
用于記錄小的非常緊密擁擠的細(xì)胞 | |
76mm |
1µ |
0.145 mm |
1.0 MΩ |
1µ |
用于記錄小的非常緊密擁擠的細(xì)胞 | |
76mm |
1µ |
0.145 mm |
1.0 MΩ |
1µ |
用于記錄小的非常緊密擁擠的細(xì)胞 | |
76mm |
1µ |
0.085 mm |
2.0 MΩ |
1µ |
用于記錄小的非常緊密擁擠的細(xì)胞 | |
76mm |
1µ |
0.145 mm |
2.0 MΩ |
1µ |
用于記錄小的非常緊密擁擠的細(xì)胞 | |
76mm |
1µ |
0.145 mm |
2..0 MΩ |
1µ |
用于記錄小的非常緊密擁擠的細(xì)胞 | |
76mm |
1µ |
0.085 mm |
4.0 MΩ |
1µ |
用于記錄小的非常緊密擁擠的細(xì)胞 | |
76mm |
1µ |
0.145 mm |
4.0 MΩ |
1µ |
用于記錄小的非常緊密擁擠的細(xì)胞 | |
76mm |
1µ |
0.145 mm |
4.0 MΩ |
1µ |
用于記錄小的非常緊密擁擠的細(xì)胞 | |
76mm |
3µ |
0.127 mm |
0.5 MΩ |
1µ |
多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.216 mm |
0.5 MΩ |
1µ |
多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.216 mm |
0.5 MΩ |
1µ |
多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.127 mm |
1.0 MΩ |
1µ |
多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.216 mm |
1.0 MΩ |
1µ |
多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.216 mm |
1.0 MΩ |
1µ |
多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.127 mm |
2.0 MΩ |
1µ |
多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.216 mm |
2.0 MΩ |
1µ |
多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.216 mm |
2.0 MΩ |
1µ |
多個(gè)單元和單個(gè)單元記錄及微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.254 mm |
0.1 MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.356 mm |
0.1 MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.356 mm |
0.1 MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.356 mm |
0.1 MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.254 mm |
0.5 MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.254 mm |
0.5 MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.356 mm |
0.5 MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.356 mm |
0.5 MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.254 mm |
1.0 MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.254 mm |
1.0 MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.356 mm |
1.0 MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.356 mm |
1.0 MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.356 mm |
1.0 MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.254 mm |
2.0 MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.254 mm |
2.0 MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.356 mm |
2.0 MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激 | |
76mm |
3µ |
0.356 mm |
2.0 MΩ |
1-2µ |
單個(gè)和多個(gè)單元記錄和微刺激 | |
76mm |
1µ |
0.085 mm |
0.5 MΩ |
1µ |
單個(gè)單元刺激和長(zhǎng)期使用 | |
76mm |
1µ |
0.145 mm |
0.5 MΩ |
1µ |
單個(gè)單元刺激和長(zhǎng)期使用 | |
76mm |
1µ |
0.085 mm |
1.0 MΩ |
1µ |
單個(gè)單元刺激和長(zhǎng)期使用 | |
76mm |
1µ |
0.145 mm |
1.0 MΩ |
1µ |
單個(gè)單元刺激和長(zhǎng)期使用 | |
76mm |
1µ |
0.085 mm |
2.0 MΩ |
1µ |
單個(gè)單元刺激和長(zhǎng)期使用 | |
76mm |
1µ |
0.145 mm |
2.0 MΩ |
1µ |
單個(gè)單元刺激和長(zhǎng)期使用 | |
76mm |
1µ |
0.145 mm |
2.0 MΩ |
1µ |
單個(gè)單元刺激和長(zhǎng)期使用 | |
76mm |
1µ |
0.085 mm |
4.0 MΩ |
1µ |
單個(gè)單元刺激和長(zhǎng)期使用 | |
76mm |
1µ |
0.145 mm |
4.0 MΩ |
1µ |
單個(gè)單元刺激和長(zhǎng)期使用 | |
76mm |
1µ |
0.145 mm |
4.0 MΩ |
1µ |
單個(gè)單元刺激和長(zhǎng)期使用 |
76mm |
3µ |
0.61mm |
1.0 MΩ |
1-2µ |
記錄和刺激(普魯士藍(lán)染色) | |
76mm |
3µ |
0.61 mm |
1.0 MΩ |
1-2µ |
記錄和刺激(普魯士藍(lán)染色) | |
76mm |
3µ |
0.61 mm |
2.0 MΩ |
1-2µ |
記錄和刺激(普魯士藍(lán)染色) | |
76mm |
3µ |
0.229 mm |
0.5 MΩ |
1-2µ |
記錄和刺激(普魯士藍(lán)染色) | |
76mm |
3µ |
0.229 mm |
1.0 MΩ |
1-2µ |
記錄和刺激(普魯士藍(lán)染色) | |
76mm |
3µ |
0.356 mm |
1.0 MΩ |
1-2µ |
記錄和刺激(普魯士藍(lán)染色) | |
76mm |
3µ |
0.356 mm |
1.0 MΩ |
1-2µ |
記錄和刺激(普魯士藍(lán)染色) | |
76mm |
3µ |
0.229 mm |
2.0 MΩ |
1-2µ |
記錄和刺激(普魯士藍(lán)染色) | |
76mm |
3µ |
0.356 mm |
1.0 MΩ |
1-2µ |
記錄和刺激(普魯士藍(lán)染色) | |
76mm |
3µ |
0.229 mm |
7.0 MΩ |
1-2µ |
記錄和刺激(普魯士藍(lán)染色) | |
76mm |
3µ |
0.229 mm |
12.0 MΩ |
1-2µ |
記錄和刺激(普魯士藍(lán)染色) |
型號(hào) |
長(zhǎng)度 |
|||||
76mm |
3µ |
0.356 mm |
0.5 MΩ |
1µ |
立體電極 /雙極測(cè)量,差分測(cè)量 | |
76mm |
3µ |
0.356 mm |
1.0 MΩ |
1µ |
立體電極 /雙極測(cè)量,差分測(cè)量 | |
76mm |
3µ |
0.356 mm |
2.0 MΩ |
1µ |
立體電極 /雙極測(cè)量,差分測(cè)量 | |
76mm |
3µ |
0.216 mm |
0.5 MΩ |
1µ |
立體電極 /雙極測(cè)量,差分測(cè)量 | |
127mm |
3µ |
0.356 mm |
1.0 MΩ |
1-2µ |
立體電極 /雙極測(cè)量,差分測(cè)量 |
型號(hào) |
||||||
50mm |
3µ |
0.106 mm |
0.1 MΩ |
2-3µ |
多單元及認(rèn)知電位記錄和刺激 | |
50mm |
3µ |
0.180 mm |
0.1 MΩ |
2-3µ |
多單元及認(rèn)知電位記錄和刺激 | |
50mm |
3µ |
0.106 mm |
0.5 MΩ |
2-3µ |
多單元及認(rèn)知電位記錄和刺激 | |
50mm |
3µ |
0.180 mm |
0.5 MΩ |
2-3µ |
多單元及認(rèn)知電位記錄和刺激 | |
50mm |
3µ |
0.106 mm |
1.0 MΩ |
1-2µ |
多單元及認(rèn)知電位記錄和刺激 | |
50mm |
3µ |
0.180 mm |
1.0 MΩ |
1-2µ |
多單元及認(rèn)知電位記錄和刺激 | |
50mm |
3µ |
0.106 mm |
1.5 MΩ |
1-2µ |
多單元及認(rèn)知電位記錄和刺激 | |
50mm |
3µ |
0.180 mm |
1.5 MΩ |
1-2µ |
單個(gè)及多個(gè)單元記錄和刺激 | |
50mm |
3µ |
0.106 mm |
2.0 MΩ |
1-2µ |
更大的選擇型和微刺激 | |
50mm |
3µ |
0.180 mm |
2.0 MΩ |
1-2µ |
更大的選擇型和微刺激 | |
50mm |
3µ |
0.106 mm |
2.5 MΩ |
1-2µ |
更大的選擇型-小細(xì)胞 | |
50mm |
3µ |
0.180 mm |
2.5 MΩ |
1-2µ |
更大的選擇型-小細(xì)胞 | |
50mm |
3µ |
0.180 mm |
2.5 MΩ |
1-2µ |
更大的選擇型-小細(xì)胞 | |
50mm |
3µ |
0.106 mm |
3.0 MΩ |
1-2µ |
更大的選擇型-小細(xì)胞 | |
50mm |
3µ |
0.180 mm |
3.0 MΩ |
1-2µ |
更大的選擇型-小細(xì)胞 | |
50mm |
3µ |
0.106 mm |
5.0 MΩ |
1-2µ |
更大的選擇型-小細(xì)胞 | |
50mm |
3µ |
0.180 mm |
5.0 MΩ |
1-2µ |
更大的選擇型-小細(xì)胞 | |
50mm |
3µ |
0.180 mm |
5.0 MΩ |
1-2µ |
更大的選擇型-小細(xì)胞 |
型號(hào) |
長(zhǎng)度 |
絕緣層厚度 |
手柄直徑 |
最低阻抗 |
尖端直徑 |
典型應(yīng)用 |
PTM123B05KT |
305mm |
3µ |
0.61mm |
10.5 MΩ |
1-2µ |
腦深部研究 |
PTM123B10KT |
305mm |
3µ |
0.61mm |
1.0 MΩ |
1-2µ |
腦深部研究 |
PTM123B20KT |
305mm |
3µ |
0.61mm |
2.0 MΩ |
1-2µ |
腦深部研究 |
型號(hào) |
長(zhǎng)度 |
絕緣層厚度 |
手柄直徑 |
最低阻抗 |
尖端直徑 |
典型應(yīng)用 |
|
305mm |
3µ |
0.406mm |
0.5 MΩ |
1µ |
腦深部研究 |
|
305mm |
3µ |
0.406mm |
1.0 MΩ |
1µ |
腦深部研究 |
TM123A10KT-B |
305mm |
3µ |
0.406mm |
1.0 MΩ |
1µ |
腦深部研究 |
TM123A20KT |
305mm |
3µ |
0.406mm |
2.0 MΩ |
1µ |
腦深部研究 |