氬離子拋光儀工作原理

瀏覽次數(shù)：347　發(fā)布日期：2024-10-22　來(lái)源：裕隆時(shí)代

隨著現(xiàn)代科學(xué)和工業(yè)的發(fā)展，材料組分和結(jié)構(gòu)朝著多樣化和復(fù)雜化的方向發(fā)展，傳統(tǒng)的拋光方法往往無(wú)法有效地制備特殊的材料和樣品，比如復(fù)合材料、多孔材料等。

裕隆時(shí)代ArFab氬離子拋光是利用氬離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行蝕刻加工的方法，它基于離子轟擊效應(yīng)，通過(guò)高能入射離子與固體樣品表面層附近的原子產(chǎn)生碰撞，從而去除樣品表面原子，達(dá)到拋光效果的過(guò)程。

與傳統(tǒng)拋光方法相比，氬離子拋光具有應(yīng)力應(yīng)變小、污染少、定位準(zhǔn)確、操作簡(jiǎn)單和普適性等特點(diǎn)。

氬離子拋光可以有效地去除樣品表面的損傷層和非晶層，避免常規(guī)制樣過(guò)程中產(chǎn)生的機(jī)械損傷、材料表面變形及額外應(yīng)力等優(yōu)點(diǎn)，有效提升SEM及EBSD分析的準(zhǔn)確性和可靠性，因此在材料科學(xué)研究中獲得廣泛應(yīng)用。

應(yīng)用案例

離子平面拋光后的頁(yè)巖截面，揭示樣品表面納米級(jí)孔隙，左圖為無(wú)機(jī)孔，右圖為有機(jī)孔。SEM圖像，石油地質(zhì)。

離子切割后的手機(jī)柔性屏幕內(nèi)部結(jié)構(gòu)和材料特征。半導(dǎo)體領(lǐng)域

離子切割后的電池材料截面，揭示其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。左圖為電池陽(yáng)極幾篇，右圖為電池隔膜。SEM圖像，能源材料領(lǐng)域

左圖：離子切割后芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，右圖：離子平面拋光后芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)。SEM圖像，半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域。

平面拋光后LED焊盤(pán)結(jié)構(gòu)。SEM圖像，半導(dǎo)體光電領(lǐng)域

低電壓平面拋光后的合成材料EBSD結(jié)構(gòu)。EBSD圖像，新材料領(lǐng)域。

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