技術(shù)的變革需要創(chuàng)新精神,更依賴創(chuàng)新者之間的合作。Alan Weimer 與 Steve Geogre 兩位教授自本世紀(jì)初起的合作,造就了全新的粉末工程加工技術(shù):PALD(粉末原子層沉積)。而由此衍生的兩家 ALD 技術(shù)公司 ALD Nanosolutions 以及 Forge Nano (二者在 2020 年完成合并)已經(jīng)成為全球最大的粉末 ALD 技術(shù)推行者,實(shí)現(xiàn)從克級到千噸級的粉末表面保形涂層加工。
關(guān)于 ALD 以及 PALD 技術(shù)
與傳統(tǒng)的表面改性不同,PALD 是真正可以實(shí)現(xiàn)原子級/分子層級控制精度的粉末涂層技術(shù),并保持良好的共形性。原子層沉積技術(shù)是一種基于自限制性的化學(xué)半反應(yīng)將被沉積物質(zhì)以單原子膜的形式一層一層的鍍在物體表面的薄膜技術(shù)。與常規(guī)的化學(xué)氣相沉積不同,原子層沉積將完整的化學(xué)反應(yīng)分解成多個半反應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)單原子層級別的薄膜控制精度。由于基底表面存在類似羥基這樣的活性位點(diǎn),因此前驅(qū)體可以形成單層的飽和化學(xué)吸附,從而實(shí)現(xiàn)自限制性反應(yīng)。而在經(jīng)過單個周期反應(yīng)后,新的位點(diǎn)暴露出來,可以進(jìn)行下一個周期的反應(yīng)。而 ALD 反應(yīng)的特點(diǎn)決定了:
1. 反應(yīng)具有自限制性,因此每個周期理論上最多只有一層目標(biāo)涂層形成
2. ALD 反應(yīng)具有較好的繞鍍性,可以實(shí)現(xiàn)其他方法無法達(dá)到的保形,均勻的涂層
3. 厚度可控,通過控制反應(yīng)的周期,從而實(shí)現(xiàn)原子層級的厚度控制
ALD 的原理:氧化鋁涂層的生長
PALD 誕生自工業(yè)經(jīng)驗(yàn)與學(xué)術(shù)精神的碰撞
20 世紀(jì)末,在美國的科羅拉多大學(xué)博爾德分校,剛剛從工業(yè)界轉(zhuǎn)回學(xué)術(shù)界的 Alan Weimer 開始重拾科學(xué)研究的樂趣。這位特立獨(dú)行的研究者在偶然聽到 Steve Geogre 教授關(guān)于原子層沉積技術(shù)的報告后,立馬投入到這一研究中。二人的合作產(chǎn)生了良好的化學(xué)反應(yīng),在短短幾年內(nèi),他們就申請了大量的相關(guān)專利,其中就包括對大規(guī)模的粉末顆粒表面進(jìn)行 ALD 包覆。當(dāng)時,ALD 技術(shù)在半導(dǎo)體行業(yè)得到越來越多的重視,但沒有人相信可以實(shí)現(xiàn)大量粉末材料的 ALD 涂層沉積。很多質(zhì)疑者的疑問在當(dāng)時看起來無懈可擊:
1. 粉末材料巨大的比表面積,以及容易團(tuán)聚的特點(diǎn),ALD 方法如何實(shí)現(xiàn)充分的氣固接觸?
2. 與半導(dǎo)體行業(yè)不同,粉末材料用量巨大,如何實(shí)現(xiàn)批量的粉末 ALD 包覆處理?
3. ALD 反應(yīng)的前驅(qū)體成本高昂,如何讓企業(yè)接受這樣的高成本方案?
Alan Weimer 這位特立獨(dú)行的研究者,顯然沒有把這些質(zhì)疑放在心上,在陶氏化學(xué)多年的工作經(jīng)驗(yàn)讓他具備驗(yàn)證工程化技術(shù)的能力。在本世紀(jì)初,工業(yè)界更偏向于提升粉末本身的性能,很少關(guān)注到表面改性。而學(xué)術(shù)界對于納米技術(shù)的研究剛剛興起,液相法靈活的特點(diǎn)更受歡迎,ALD 高昂的入門成本讓大多數(shù)研究者對其束之高閣。但經(jīng)過二位教授多年的努力,PALD 技術(shù)已被科學(xué)界接受,并引起工業(yè)界的興趣。
Alan Weimer:我的興趣一直是嘗試并成為該領(lǐng)域的第一人
PALD 被用來做什么
早期,PALD 應(yīng)用是保護(hù) LED 熒光發(fā)光材料免遭水汽侵蝕從而失活,使用 ALD 涂層材料所可有效節(jié)約加工能源,只需要其他方法的 75% 到 80%,有顯著的成本效益。另一個應(yīng)用主要是針對鋰離子電池的包覆改性,從而提升電池的循環(huán)使用壽命以及安全性。
PALD 的實(shí)現(xiàn)方式
Q:為什么半導(dǎo)體晶圓 ALD 不適合處理粉末樣品
最早的粉末 ALD 研究都是小批量的,部分研究者會采用半導(dǎo)體晶圓 ALD 設(shè)備處理少量的粉末。但受限于粉末的分散技術(shù),只能停留在實(shí)驗(yàn)室階段。在粉末表面進(jìn)行的 ALD 反應(yīng)比平面樣品更為復(fù)雜,由于粉末樣品巨大的表面積,使相同體積下的粉末材料需要更多的前驅(qū)體進(jìn)行反應(yīng)。如果把電子元件看作一張課桌,那么同樣體積的粉末的表面積幾乎可以等同于一個標(biāo)準(zhǔn)足球場。
粉末 ALD 需要覆蓋的面積遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于平面器件
同時粉末易于團(tuán)聚的特點(diǎn)也導(dǎo)致平面 ALD 方式前驅(qū)體擴(kuò)散效率低下。因此對粉末進(jìn)行 ALD 需要實(shí)現(xiàn):
1. 反應(yīng)腔的設(shè)計,可實(shí)現(xiàn)粉末攪拌功能
2. 前驅(qū)體輸送需要更高效的擴(kuò)散以及單次大體積的加藥
平面 ALD 處理樣品會導(dǎo)致的問題
1. 流化床系統(tǒng)
Steve Geogre 教授從 2004 年起采用流化床以及旋轉(zhuǎn)床等方法結(jié)合的方式進(jìn)行粉末的包覆處理。而 Alan Weimer 教授緊隨其后,采用更大批次處理的流化床系統(tǒng)進(jìn)行粉末包覆的研究,并搭建了多種粉末 ALD 系統(tǒng),Wank 等人是第一個在流化床包覆反應(yīng)器中使用 ALD 包覆一次顆粒的人,在隨后 King 等人也提出發(fā)展出使用質(zhì)譜儀 (M/S) 跟蹤 ALD 化學(xué)表面反應(yīng)的進(jìn)行的方案。
流化床 PALD 包覆系統(tǒng)
在流體作用下呈現(xiàn)流(態(tài))化的固體粒子層稱為流化床。流化床方案是較為理想的一種分散方式,流化是將顆粒懸浮在移動的流體中,使其表現(xiàn)為類液體狀態(tài)的一種方法。隨流體速度的不同,床層可具有不同的流化特性。如流速 U 過低,則床層固定不動,流體僅從顆粒間空隙流過,壓降 Δp 隨流速 U 而增加。如流速增大到使壓降和單位橫截面上的床層重量相等,固體顆粒便開始浮動,床層呈現(xiàn)流動性,這種狀態(tài)稱為最小流化或起始流化。這時按空床橫截面計算的流速稱為起始流化速度或最小流化速度 Umf。流速再增大,床層將隨流速的增大而繼續(xù)膨脹,出現(xiàn)壓降穩(wěn)定、流動性能良好的穩(wěn)定操作區(qū),稱為正常流化。如流速繼續(xù)增大,則床層湍動加劇,床面漸難辨認(rèn)。當(dāng)流速達(dá)到它對單個固體顆粒的曳力同顆粒的浮重相等時,顆粒便開始被氣流帶出。這時的空床流速稱為終端速度或帶出速度 ut,Umf 和 ut值決定于顆粒和流體的性質(zhì),它們是一般鼓泡流化床操作的上、下限。
氣固流化由于其較高的物理混合率和床層翻轉(zhuǎn)頻率從而具有較高的接觸效率?焖俚幕旌线有助于創(chuàng)造一個對流渦旋,以保持等溫的條件,防止局部過熱。流化床反應(yīng)器 (FBR) 除傳熱系數(shù)高外,傳質(zhì)速率也高。ALD 前驅(qū)體的表面吸附是一個快速的過程,其速率限制步驟是由前驅(qū)體分子找到并與表面成核位置反應(yīng)的概率決定的。由于氣體擴(kuò)散路徑的增加,對于軟團(tuán)聚或黏合程度較高的粉末,這一過程將比平面 ALD 需要更長的時間。高顆粒循環(huán)頻率的流化床系統(tǒng)可以促進(jìn)顆粒碰撞,避免未反應(yīng)的前驅(qū)分子逃逸。
流化床 ALD 包覆各種類型的粉末
而為了實(shí)現(xiàn)更大的粉末處理量,單批次的流化床工藝一次性最多只能達(dá)到公斤級處理量。ALD 反應(yīng)需要大量的時間,而反應(yīng)腔可容納的粉末量有限。
由 ALD Nanosolutions 設(shè)計的 5kg 級流化床 ALD 反應(yīng)系統(tǒng),位于美國 NERL 實(shí)驗(yàn)室
為了有效提升流化床的吞吐量,采用空間 ALD 的方法可有效提升處理效率。常規(guī)的 ALD 工藝基本是粉末固定,前驅(qū)體不斷通入流出。而空間 ALD 則讓粉末不斷運(yùn)動,在多級腔室中進(jìn)行不同的半反應(yīng)。根據(jù)實(shí)驗(yàn)級 ALD 的工藝,通過將多個流化床反應(yīng)器連接在一起,可以實(shí)現(xiàn)設(shè)定周期的 ALD 反應(yīng),每個腔室進(jìn)行不同的半反應(yīng),而粉末可從第一個腔室不斷轉(zhuǎn)移到新的腔室完成反應(yīng)。當(dāng)腔室體積足夠大,即可實(shí)現(xiàn)百公斤級甚至噸級的連續(xù)批次粉末處理。
多級流化床 ALD 系統(tǒng)
2. 旋轉(zhuǎn)床系統(tǒng)
當(dāng) ALD 表面反應(yīng)具有較低的反應(yīng)粘著系數(shù)時,反應(yīng)物在流化床反應(yīng)器中的停留時間可能太短而無法達(dá)到較高的前驅(qū)體利用效率。為了解決這些挑戰(zhàn),Alan Weimmer 團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種新型旋轉(zhuǎn)反應(yīng)器,以實(shí)現(xiàn)在靜態(tài) ALD 前驅(qū)體擴(kuò)散期間穩(wěn)定的顆粒攪拌。在這種新型反應(yīng)器中,真空室中放置了一個帶有多孔金屬壁的圓筒。通過磁耦合旋轉(zhuǎn)饋通裝置旋轉(zhuǎn)多孔圓筒圓筒,從而獲得小于標(biāo)準(zhǔn)重力的離心力,粒子被連續(xù)的粒子“雪崩”效應(yīng)所攪動。此外,惰性 N2 氣體脈沖有助于將顆粒從多孔壁上移出,并提供了一種有效的方法來清除顆粒床上的反應(yīng)物和產(chǎn)物。
顆粒在離心力,氣流作用以及重力的作用下實(shí)現(xiàn)旋轉(zhuǎn)流化
對于需要更長前驅(qū)體駐留時間的反應(yīng)或前驅(qū)體擴(kuò)散效率較高的反應(yīng),旋轉(zhuǎn)式的反應(yīng)腔提供了一種更為簡便的粉末 ALD 方式以及更高效的前驅(qū)體利用。而在工業(yè)級粉末 ALD 包覆時,粉末旋轉(zhuǎn)床可以節(jié)約更多的空間,進(jìn)行單批次更大吞吐量的粉末處理。
利用旋轉(zhuǎn)床實(shí)現(xiàn)的顆粒包覆
3. 振動床
除了流化床以及旋轉(zhuǎn)床,振動也是實(shí)現(xiàn)粉末分散的一種良好方式。在實(shí)驗(yàn)級反應(yīng)器中,常把振動與其它兩種方式進(jìn)行結(jié)合。而振動床最大的優(yōu)勢在于其連續(xù)化生產(chǎn)以及高通量粉末處理的能力。結(jié)合空間 ALD 技術(shù),連續(xù)振動空間顆粒 ALD 反應(yīng)器利用線性振動將顆粒輸送到前驅(qū)體氣體的交替區(qū)域。在高通量粉末處理工藝中,實(shí)現(xiàn)多個循環(huán) ALD 需要將多個反應(yīng)器串聯(lián),這將導(dǎo)致一較大的系統(tǒng)占地面積和成本。相比之下,連續(xù)振動的空間顆粒 ALD,顆粒通過定向振動通過前驅(qū)體氣體的交替區(qū)域流動,可以在保持低成本的同時實(shí)現(xiàn)粉末的高通量處理。振動導(dǎo)致密集顆粒區(qū)域的攪動,有助于打破堵塞,防止顆粒團(tuán)聚。床層攪拌也促進(jìn)了氣-顆粒和顆粒-顆粒的有效混合。在連續(xù)振動的空間粒子 ALD 反應(yīng)器中,線性振動以中頻、低振幅振蕩的方式輸送粒子通過交替氣區(qū)。這種振動床比流化床更容易實(shí)現(xiàn)較多反應(yīng)周期的 ALD 工藝,且可隨時調(diào)整反應(yīng)空間的長度,甚至可以達(dá)到每年千噸級的粉末處理量。
Alan Weimmer 組設(shè)計的連續(xù)式振動床
鍛造未來,從一個原子層開始
從十多年前飽受質(zhì)疑到如今被學(xué)術(shù)界接受,PALD 技術(shù)已處在工業(yè)應(yīng)用的前夜,對這一切 Alan Weimmer 教授并不吃驚,“即使在學(xué)術(shù)界獲取資金很困難,我的興趣一直是嘗試并成為該領(lǐng)域的第一人。打破質(zhì)疑很重要,只要我認(rèn)為其具備科學(xué)可行性,我就會堅定不移進(jìn)行下去“。正是在這樣的信念下,Alan 與 Steve 教授二人開創(chuàng)了一種全新的沉積技術(shù)子類,而由他們的學(xué)生創(chuàng)辦的公司 Forge Nano,正在把這一技術(shù)推廣至工業(yè)界。“在大規(guī)模的 PALD 技術(shù)加持下,納米級包覆的成本已經(jīng)可以被控制在企業(yè)可以接受的水平,我們也很希望在不久的將來這一技術(shù)能被工業(yè)界廣泛應(yīng)用。” Forge Nano 首席執(zhí)行官 Paul 如是說。
研究人員正在調(diào)試 Rotary ALD 系統(tǒng)
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