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上海之信推出高頻納秒可逆與不可逆電穿孔脈沖系統(tǒng)

瀏覽次數(shù):3218 發(fā)布日期:2023-3-22  來源:本站 本站原創(chuàng),轉(zhuǎn)載請注明出處
上海之信儀器有限公司最新推出高頻納秒可逆/不可逆電穿孔脈沖系統(tǒng)
 
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近日推出的高頻納秒電穿孔脈沖系統(tǒng),是新一代實(shí)驗(yàn)室用納秒電穿孔腫瘤消融系統(tǒng)。利用線性變壓器原理,能夠產(chǎn)生和釋放納秒級高壓方波脈沖,而不會引起動物肌肉顫振,是當(dāng)前進(jìn)行動物腫瘤消融實(shí)驗(yàn)的理想選擇?膳c各種專業(yè)電極及配件結(jié)合使用,已與上海大學(xué)和復(fù)旦大學(xué)附屬華山醫(yī)院合作成功應(yīng)用于豬、狗等動物腫瘤模型的活體消融實(shí)驗(yàn)。此外,它還可用于基因、藥物和蛋白質(zhì)導(dǎo)入活體體內(nèi)/體外、核移植、胚胎操作、植物原生質(zhì)體以及細(xì)菌和酵母等場景。

電穿孔脈沖系統(tǒng)具有極寬的電壓和脈沖持續(xù)時間調(diào)整范圍,脈沖參數(shù)設(shè)置自由度極高,可滿足動物腫瘤消融、電化療、基因電轉(zhuǎn)染和食品工程等應(yīng)用場景的參數(shù)設(shè)定要求。同時,它還配備了專門的軟件,可進(jìn)行術(shù)前脈沖參數(shù)設(shè)置和治療方案優(yōu)化、術(shù)中脈沖參數(shù)監(jiān)控、故障排除和日志記錄。該型號產(chǎn)品的相關(guān)技術(shù)指標(biāo)已處于國內(nèi)外同類產(chǎn)品的領(lǐng)先水平。

支持定制,可替代BTX等進(jìn)口品牌,主機(jī)質(zhì)保3年,上海大學(xué)專業(yè)售后服務(wù)團(tuán)隊(duì),可為研究者提供技術(shù)支持、實(shí)驗(yàn)方案(protocol)共享服務(wù),給研究過程提供支持和便利。


定制客戶:
上海大學(xué) 張兵
華中科技大學(xué) 趙俊
廈門大學(xué) 溫曉斐

 
型號 技術(shù)性能指標(biāo) 配置
ZQP-86E 1.脈沖極性:正負(fù)脈沖交替
2.脈沖電壓:0~±5kV
3.脈沖電流:≤300A
4.脈沖寬度:100ns~5000ns,可調(diào)
5.正負(fù)脈沖間隔:500ns~100us,可調(diào)
6.脈沖串頻率:≤10Hz
7.脈沖串內(nèi)脈沖個數(shù):≤200個
8.脈沖串內(nèi)脈沖頻率:≤1MHz
9.脈沖頂降:≤5%
10.脈沖邊沿:≤50ns
1.高頻電穿孔脈沖發(fā)生器1臺
2.細(xì)胞用電極針一套
3.動物組織用電極針一套
 
、
新型納秒脈沖系統(tǒng),可廣泛用于生物醫(yī)學(xué)和生物技術(shù)領(lǐng)域
電穿孔是一種由脈沖電場觸發(fā)的細(xì)胞通透性現(xiàn)象,廣泛應(yīng)用于生物醫(yī)學(xué)和生物技術(shù)領(lǐng)域?茖W(xué)上對電滲透的高壓和/或高頻脈沖發(fā)生器的需求越來越大。在這篇文章中,研究人員描述了用于電穿孔的納秒脈沖電場(nsPEF)發(fā)電機(jī)的基本拓?fù),以及在過去二十年中引入的各種內(nèi)部建造的設(shè)備的參數(shù)化能力。研究人員對60多種nsPEF發(fā)生器進(jìn)行了分類,列出并比較了脈沖形成特征(脈沖形狀、電壓、持續(xù)時間和重復(fù)頻率),最后討論了電穿孔技術(shù)的發(fā)展趨勢。


相關(guān)論文以題為“Concepts and Capabilities of In-House Built Nanosecond Pulsed Electric Field (nsPEF) Generators for Electroporation: State of Art”發(fā)表在《Applied Sciences》上。
新型纳秒脉冲电场发生器,可广泛用于生物医学和生物æŠæœ¯é¢†åŸŸï¼
高強(qiáng)度的脈沖電場(PEF)可以觸發(fā)生物細(xì)胞對外源分子的通透性增加,而這些外源分子原本是不可滲透的。PEF使細(xì)胞膜極化,導(dǎo)致脂質(zhì)重定向并形成孔洞,從而增加分子在細(xì)胞膜上的轉(zhuǎn)運(yùn)。在可逆電穿孔的情況下(取決于脈沖參數(shù)),然后將細(xì)胞膜重新密封。因此,電穿孔有多種應(yīng)用,包括癌癥治療、基因傳遞、食品加工、生物煉制等。在每一種情況下,都需要不同的脈動電場參數(shù),這就為發(fā)電機(jī)設(shè)計的通用性提出了挑戰(zhàn)。在脈沖幅值-持續(xù)時間空間中應(yīng)用的直接分布如圖1所示。
新型纳秒脉冲电场发生器,可广泛用于生物医学和生物æŠæœ¯é¢†åŸŸï¼
圖1.不同電穿孔應(yīng)用的脈沖參數(shù)的廣義表示。


可以看出,大多數(shù)應(yīng)用程序處于微毫秒范圍內(nèi)。事實(shí)上,較長但振幅較低的脈沖在幾十年來一直是這一領(lǐng)域的主導(dǎo),然而,最近幾年聚焦較短(納秒)脈沖的作品數(shù)量顯著增加。其原因在于傳統(tǒng)的微秒范圍方法的局限性,如生物阻抗依賴的場分布、焦耳加熱、肌肉收縮、電擊穿和氧化應(yīng)激。納秒脈沖不能完全解決所有的問題,然而,在許多情況下,負(fù)面因素是減少的。然而,為了使發(fā)電機(jī)在納秒范圍內(nèi)形成數(shù)十千伏和數(shù)百安培的脈沖,需要先進(jìn)的脈沖電力電子技術(shù)。因此,這種發(fā)電機(jī)的價格和工程復(fù)雜性很高,然而,納秒脈沖電場的應(yīng)用趨勢使其可行(圖2)。
新型纳秒脉冲电场发生器,可广泛用于生物医学和生物æŠæœ¯é¢†åŸŸï¼
圖2.根據(jù)Clarivate Analytics Web of Science(2020年5月25日),關(guān)于納秒電穿孔主題的出版物數(shù)量趨勢。

 
從圖2中可以看出,在過去的十年中,有一個明確的上升的出版物,這部分是由于市場上脈沖形成開關(guān)的更好的可用性。隨著更好的半導(dǎo)體(即碳化硅技術(shù))的發(fā)展,用于電穿孔的實(shí)驗(yàn)室級發(fā)電機(jī)的發(fā)展也在加強(qiáng)。然而,聚焦用于電穿孔的納秒脈沖發(fā)生器的論文數(shù)量仍然很低。在使用高頻脈沖的短微秒或亞微秒脈沖前沿也觀察到類似的趨勢(圖3),這可能是長微秒到納秒范圍的自然過渡步驟。
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圖3.根據(jù)Clarivate Analytics Web of Science(2020年5月25日),關(guān)于高頻電穿孔主題的出版物數(shù)量趨勢。


為了治療的最佳效果,許多電穿孔參數(shù)必須調(diào)整,即脈沖振幅和持續(xù)時間、重復(fù)頻率、波形和脈沖數(shù)。因此,在研究PEF的新現(xiàn)象和生物學(xué)效應(yīng)時,電porators的通用性是很重要的。


脈沖形成使用電容放電電路
 
直接電容放電脈沖形成電路的概念是最常見、最簡單和最古老的脈沖形成概念之一。它是基于能量的轉(zhuǎn)移存儲在電容器到負(fù)載通過明確的電壓脈沖。脈沖傳輸通常由半導(dǎo)體開關(guān)控制。根據(jù)開關(guān)類型或驅(qū)動模式,波形要么是矩形(使用金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFETs)和絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)),要么是指數(shù)衰減波(較老的概念通常用于晶閘管)。對于指數(shù)衰減脈沖,脈沖的持續(xù)時間(衰減時間)由放電電路的RC參數(shù)決定,而對于矩形脈沖,其參數(shù)主要受開關(guān)能力和放電電容值的限制。電容放電脈沖發(fā)生器的原理脈沖形成電路如圖4所示。
新型纳秒脉冲电场发生器,可广泛用于生物医学和生物æŠæœ¯é¢†åŸŸï¼
圖4.一種直接電容放電脈沖發(fā)生器的原理電路。


該脈沖發(fā)生器由可變高壓電源V、放電電容器C、開關(guān)SW和可選電阻r組成。直接電容放電拓?fù)湓O(shè)計簡單且價格低廉。但是,為了保證矩形波的傳輸和限制脈沖幅值的下降,需要一個高容量(從lv到mF范圍)的電容器組,開關(guān)必須承受全電壓幅值。它限制了在高電壓的情況下可用開關(guān)的選擇。在這種情況下,幾個串聯(lián)開關(guān)必須使用,這導(dǎo)致增加了復(fù)雜的發(fā)電機(jī)由于挑戰(zhàn)在開關(guān)同步。


為了克服直接電容放電概念的局限性,可以使用更復(fù)雜的模塊化電路拓?fù)。它提供了幾個開關(guān)之間的電壓分布,并為輸出脈沖形狀和振幅提供了額外的靈活性。圖5給出了一個簡單的模塊化結(jié)構(gòu)示例。
 
新型纳秒脉冲电场发生器,可广泛用于生物医学和生物æŠæœ¯é¢†åŸŸï¼
圖5.模塊化直接電容放電脈沖發(fā)生器的原理電路。


結(jié)論

人們對用于電穿孔的更短、更高強(qiáng)度的脈沖電場越來越感興趣,這導(dǎo)致了對nsPEF電穿孔器的需求不斷增長。針對nsPEF電子轉(zhuǎn)換器的脈沖形成電路的設(shè)計方法多種多樣。傳統(tǒng)的傳輸線電路拓?fù)浔徊捎茫欢S著SiC mosfet的發(fā)展,產(chǎn)生了一波先進(jìn)的脈沖參數(shù)可調(diào)的直接電容放電nsPEF電晶體。

以上可詳詢手機(jī):17301696315
 
相關(guān)公司:上海之信儀器有限公司
聯(lián)系電話:021-57600826,57618616,57810506,57810616
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